功率元件晶圓 -
Si IGBT Bare Die
主要特點
- 低開關損耗
- 高速開關速率
- 高性價比
- 最新世代溝槽結構
- 可搭配Si-FRD/SiC-SBD
- 可符合客戶端工規OR車用規範
- PPAP流程
產品介紹
Si IGBT Bare Die為朋程結合集團半導體垂直整合能力，透過自身專業晶片設計部門，與集團上游Substrate製造/磊晶/Fab進行技術合作，開發出Si IGBT功率元件晶圓/Bare Die，通用性高、輸出穩定的產品組合，適用於各款離散式功率元件與功率模組
| 型號 | 電壓 | 電流 | 晶圓尺寸 | 包裝方式 | FSM | BSM |
| Si_TBD | 650V | - | 6" or 8" | Unsawn wafer Sawn wafer on frame Chip on tray Tape & Reel | Al AlCu Solderable | Ti/Ni/Ag Ti/NiV/Ag Ti/Ni/Au |
| Si_TBD | 750V | - | 6" or 8" | Unsawn wafer Sawn wafer on frame Chip on tray Tape & Reel | Al AlCu Solderable | Ti/Ni/Ag Ti/NiV/Ag Ti/Ni/Au |
| Si_TBD | 1200V | - | 6" or 8" | Unsawn wafer Sawn wafer on frame Chip on tray Tape & Reel | Al AlCu Solderable | Ti/Ni/Ag Ti/NiV/Ag Ti/Ni/Au |
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