功率模組
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Si IGBT 750V/820A Drive 功率模組(AEP820B08TFLT)
Si IGBT 750V/820A Drive 功率模組 (AEP820B08TFST)
Si IGBT 750V/550A Drive 功率模組 (AEP550B08TFLT)
Si IGBT 750V/550A Drive 功率模組 (AEP550B08TFST)
Si IGBT 1200V/380A Drive 功率模組 (AEP380B12TFLT)
Si IGBT 1200V/380A Drive 功率模組 (AEP380B12TFST)
Si IGBT 1200V/75A Mini功率模組 (APP075B12TFPP)
功率離散元件
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1200V 20mΩ SiC MOSFET 離散式元件(ACR020B12MC)
1200V 30mΩ SiC MOSFET 離散式元件(ACR030B12MC)
1200V 40mΩ SiC MOSFET 離散式元件(ACR040B12MC)
1200V 20mΩ SiC MOSFET 離散式元件(ADR020B12MC)
1200V 30mΩ SiC MOSFET 離散式元件(ADR030B12MC)
1200V 40mΩ SiC MOSFET 離散式元件(ADR040B12MC)
1200V 60mΩ SiC MOSFET 離散式元件(ADR060B12MC)
1200V 14mΩ SiC MOSFET 離散式元件(ADR014B12MC)
1200V 60mΩ SiC MOSFET 離散式元件(AHR060B12MC)
1200V 60mΩ SiC MOSFET 離散式元件(ACR060B12MC)
1200V 80mΩ SiC MOSFET 離散式元件(ACR080B12MC)
1200V 100mΩ SiC MOSFET 離散式元件(AHR100B12MC)
650V 60mΩ SiC MOSFET 離散式元件(AIR060H06MC)
650V 30mΩ SiC MOSFET 離散式元件(AIR030H06MC)
650V 100mΩ SiC MOSFET 離散式元件(ACR100H06MC)
650V 60mΩ SiC MOSFET 離散式元件(AHR060H06MC)
1700V 45mΩ SiC MOSFET 離散式元件(ACR045B17MCA)
1700V 80mΩ SiC MOSFET 離散式元件(AHR080B17MCA)
1700V 1000mΩ SiC MOSFET 離散式元件(AHR1K0B17MCA)
1700V 45mΩ SiC MOSFET 離散式元件(ADR045B17MCA)
1700V 1000mΩ SiC MOSFET 離散式元件(ACR1K0B17MCA)
1700V 1000mΩ SiC MOSFET 離散式元件(ADR1K0B17MCA)
1700V 80mΩ SiC MOSFET 離散式元件(ACR080B17MCA)
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650V 6A SiC Diode 離散式元件(AAC006H06DC)
650V 6A SiC Diode 離散式元件(AEC006H06DC)
650V 8A SiC Diode 離散式元件(AAC008H06DC)
650V 10A SiC Diode 離散式元件(AAC010H06DC)
650V 10A SiC Diode 離散式元件(AGC010H06DC)
650V 12A SiC Diode 離散式元件(AAC012H06DC)
650V 16A SiC Diode 離散式元件(AAC016H06DC)
650V 16A SiC Diode 離散式元件(ACC016H06DC)
650V 20A SiC Diode 離散式元件(AAC020H06DC)
650V 20A SiC Diode 離散式元件(ACC020H06DC)
650V 30A SiC Diode 離散式元件(AAC030H06DC)
650V 30A SiC Diode 離散式元件(ACC030H06DC)
650V 40A SiC Diode 離散式元件(ACC040H06DD)
1200V 10A SiC Diode 離散式元件(AAC010B12DC)
1200V 15A SiC Diode 離散式元件(AAC015B12DC)
1200V 20A SiC Diode 離散式元件(AAC020B12DC)
1200V 20A SiC Diode 離散式元件(ABC020B12DC)
1200V 20A SiC Diode 離散式元件(ACC020B12DC)
1200V 30A SiC Diode 離散式元件(AAC030B12DC)
1200V 30A SiC Diode 離散式元件(ACC030B12DC)
1200V 30A SiC Diode 離散式元件(ABC030B12DC)
1200V 30A SiC Diode 離散式元件(ACC030B12DD)
1200V 40A SiC Diode 離散式元件(ACC040B12DD)
功能性委員會
姓名 | 審計委員會 | 薪酬委員會 | 提名委員會 |
盧明光 | V | ||
劉忠賢 | V(召集人) | V | V |
鄭正元 | V | V | V(召集人) |
張淑梅 | V | V(召集人) | V |
張淳淳 V
審計委員會
為健全董事會監督責任、強化董事會管理機制,本公司設置審計委員會。審計委員會由全體三位獨立董事組成,且其中至少一人應具備會計或財務專長。獨立董事劉忠賢先生為審計委員會之召集人,審計委員會至少每季召開一次。
審計委員會之運作,以監督公司財務報表之允當表達、簽證會計師之選(解)任及獨立性與績效、公司內部控制制度之有效實施、公司遵循相關法令及規則、公司存在或潛在風險之管控等為主要目的。
審計委員會之運作,以監督公司財務報表之允當表達、簽證會計師之選(解)任及獨立性與績效、公司內部控制制度之有效實施、公司遵循相關法令及規則、公司存在或潛在風險之管控等為主要目的。
薪酬委員會
為健全本公司董事(含獨立董事)及經理人薪資報酬制度,本公司設置薪酬委員會。薪酬委員會,由全體三位獨立董事組成。獨立董事張淑梅獨立董事為薪酬委員會之召集人,
薪酬委員會每年至少召開二次。
薪酬委員會之運作,以協助董事會執行與評估公司整體薪酬與福利政策,以及辦理董事及經理人之薪酬評核相關事務。
薪酬委員會之運作,以協助董事會執行與評估公司整體薪酬與福利政策,以及辦理董事及經理人之薪酬評核相關事務。
提名委員會
為健全本公司董事會功能及強化管理機制,本公司設置提名委員會,由四名董事(含三名獨立董事)組成,委員會主席鄭正元獨立董事為提名委員會之召集人,其具備經營管理、併購及公司治理專長,符合該委員會所需之專業能力。提名委員會得視需要隨時召開會議。
提名委員會秉於董事會之授權,職權事項如下:協助董事會辦理董事及高階經理人之尋覓、審核及提名;建構及發展董事會及各委員會之組織架構、人數及組成;評估獨立董事之獨立性;進行董事會(功能性委員會)之績效評估及檢討高階經理人之繼任計畫。
提名委員會秉於董事會之授權,職權事項如下:協助董事會辦理董事及高階經理人之尋覓、審核及提名;建構及發展董事會及各委員會之組織架構、人數及組成;評估獨立董事之獨立性;進行董事會(功能性委員會)之績效評估及檢討高階經理人之繼任計畫。
審計委員會信箱
本公司審計委員會(下稱本委員會)為提升運作之效率與效果,同時加強其與公司員工、投資人及其他利害關係人之互動,特制定「朋程科技股份有限公司利害關係人對審計委員會建言及申訴辦法」,俾就建言或申訴作業有所遵循,以健全董事會及委員會之監督功能。利害關係人對於公司管理階層、董事及董事會之建言或申訴,均得準用本辦法。
本委員會對利害關係人所提出之建言及申訴,將公正及適當地處理。利害關係人提出之建言或申訴範圍限與本公司公務相關之事項,且提出者應具其真名及聯絡方式,以利本委員會調查及回覆。委員會及文件處理人員對符合前述原則的投訴案件,均將以密件方式建檔專案處理,並於接獲投訴日起一個月內,以適當方式予以回覆結果或預定回覆日期。