パワーデバイスウェハ -
SiC MOSFET Bare Die
特徴
- 超ロースイッチングロスー
- 高速スイッチングレート
- 優れた対高温性能
- 最新世代溝構造
- ボディダイオードローローリバース
- 工業及び車載用規範対応可能
- PPAP対応
製品紹介
SiC Mosfetベアダイは自社持ちのチップ設計部門、サブストレート製造/エピ/Fabとの技術連携で、主流的かつ専用のSiC Mosfet/ベアダイまで開発してきた製品、主力安定で流用性が高いデバイス製品を量産実現
| 製品 | 電圧 | 電流 | ウェハ寸法 | 梱包仕様 | FSM | BSM |
| SiC_TBD | 1200V | - | 4" or 6" | Unsawn wafer Sawn wafer on frame Chip on tray Tape & Reel | Al AlCu Solderable | Ti/Ni/Ag Ti/NiV/Ag Ti/Ni/Au |
| SiC_TBD | 1700V | - | 4" or 6" | Unsawn wafer Sawn wafer on frame Chip on tray Tape & Reel | Al AlCu Solderable | Ti/Ni/Ag Ti/NiV/Ag Ti/Ni/Au |
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