wafer.jpg

パワーデバイスウェハ -

SiC Diode Bare Die

特徴
  • 伝導ローロス
  • Si IGBT対応
  • 工業及び車載用規範対応可能
  • PPAP対応

製品紹介

SiC ダイオードベアダイは自社持ちのチップ設計部門、サブストレート製造/エピ/Fabとの技術連携で、主流的かつ専用のSiC ダイオード/ベアダイまで開発してきた製品、主力安定で流用性が高いデバイス製品を量産実現

製品 電圧 電流 ウェハ寸法 梱包仕様 FSM BSM
SiC_TBD 1200V - 4" or 6" Unsawn wafer Sawn wafer on frame Chip on tray Tape & Reel Al AlCu Solderable Ti/Ni/Ag Ti/NiV/Ag Ti/Ni/Au
SiC_TBD 1700V - 4" or 6" Unsawn wafer Sawn wafer on frame Chip on tray Tape & Reel Al AlCu Solderable Ti/Ni/Ag Ti/NiV/Ag Ti/Ni/Au