パワーデバイスウェハ -
Si IGBT Bare Die
- ロースイッチングロスー
- 高速スイッチングレート
- ハイコスパー
- 最新世代溝構造
- Si-FRD/SiC-SBD対応可能
- 工業及び車載用規範対応可能
- PPAP対応
パワーデバイスウェハ -
製品 | 電圧 | 電流 | ウェハ寸法 | 梱包仕様 | FSM | BSM |
Si_TBD | 650V | - | 6" or 8" | Unsawn wafer Sawn wafer on frame Chip on tray Tape & Reel | Al AlCu Solderable | Ti/Ni/Ag Ti/NiV/Ag Ti/Ni/Au |
Si_TBD | 750V | - | 6" or 8" | Unsawn wafer Sawn wafer on frame Chip on tray Tape & Reel | Al AlCu Solderable | Ti/Ni/Ag Ti/NiV/Ag Ti/Ni/Au |
Si_TBD | 1200V | - | 6" or 8" | Unsawn wafer Sawn wafer on frame Chip on tray Tape & Reel | Al AlCu Solderable | Ti/Ni/Ag Ti/NiV/Ag Ti/Ni/Au |